【电抗器常识】电抗器瞬态电磁场

      电抗器瞬态电磁场
      在工程实际电抗器电磁场问题中，常常会碰到电压、电流是无规则变化的，例如一个载压线圈，激励电压在0到t时间内增加到V伏，研究该线圈的电抗器电磁场问题就属于瞬态问题。

      电抗器瞬态电磁场问题中，被激励磁场的变化跟不上激励的变化，即磁滞效应，是经常出现的，分析这类问题时，常常忽略磁滞效应。在瞬态分析中，典型物理量有：涡流、涡流引起的能量损失、涡流引起的磁力等。

      在ANSYS分析中，瞬态分析的载荷是分步加载的，也就是说，把整个过程的载荷分成了若干个时间段载荷，即载荷步。载荷步的选择应以分析的问题为基础，若要求的精度高，载荷步数就划的多，而对于载荷步变化率快的时间段，要求载荷步划分的密一些。此外，由于载荷为瞬变，会在导体内产生涡旋电流。由于集肤效应，涡旋电流主要分布在导体表面，集肤深度可用下式表示

      式中占为涡旋电流集肤深度，∥为导体的相对磁导率，盯为导体电导，脚为角频率。显然，频率越高，导电性能越好的导体，集肤效应越显著。比如设∞=100yt，材料为铜，其深入深度为9．4mm，当珊=y／"·10“时，则渗入深度仅为O．66”。因此，对导体进行有限元分析时，要慎重考虑导体表面的网格划分。